| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Dead Blow Nylon Hammers Die-cast one piece head and handle of aluminium alloy. Fitted with shock absorbent rubber grip. Screw-in faces of special nylon. The hollow head is partially filled with shot which adds to the weight and prevents re-bound. Allowing heavy and effective blows with maximum impact control. | THOR THOR communications |   | ||
1010 Pressure Gauge FEATURES Solid-front case design for safety Wide selection of Bourdon tube materials and pressure ranges PLUS!™ Performance option to dampen vibration, shock and pulsation effects to provide a liquid-fill performance in a dry gauge | ASHCROFT 雅斯科 | | ||
Voltage rating up to 3800V 文件：1.35889 Mbytes Page：5 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | | ||
Phase Control Thyristors 文件：1.3645 Mbytes Page：5 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | | ||
High Frequency, High Current Power Inductors 文件：327.3 Kbytes Page：3 Pages | COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE/泰科 |
23+ |
NA/原装 |
82985 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
|||
AMPHENOL FCI |
23+ |
POS90 0.5M |
1180 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
XX/兴芯智能 |
25+ |
SMD |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
AMPHENOL/安费诺 |
2508+ |
/ |
182881 |
一级代理，原装现货 |
|||
COSMO |
23+ |
DIP4 |
763 |
原装环保房间现货假一赔十 |
|||
FCI |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
AMPHENOLFCI |
20+ |
POS900.5M |
1510 |
只做原装诚信经营深圳仓库现货一手货源 |
|||
Weidmuller |
22+ |
3000 |
原装现货 支持实单 |
||||
PHI |
19+ |
DIP16 |
9900 |
||||
AFCI |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
MPG1010规格书下载地址
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2020-9-25MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作
2013-2-7MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。 •浮动通道引导操作设计 •全业务600 V •容错负瞬态电压 •的dV/ dt的免疫 R
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