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MPG06M-E3价格
参考价格：￥0.0000
型号：MPG06M-E3/53 品牌：VISHAY 备注：这里有MPG06M-E3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MPG06M-E3批发/采购报价，MPG06M-E3行情走势销售排行榜，MPG06M-E3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MPG06M-E3 | MiniatureGlassPassivatedJunctionPlasticRectifier 文件：75.41 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
封装/外壳：MPG06，轴向 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
封装/外壳：MPG06，轴向 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | |
MPG06M-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MPG06M-E3
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Miniature Glass Passivated Junction Plastic Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2023+ |
MPG06 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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VISHAY |
22+ |
MPG06 |
27721 |
原装正品现货 |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
12000 |
原厂原装,假一罚十 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
MPG06 |
50000 |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
MPG06 |
6000 |
全新原装 公司现货 |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
MPG06 |
236148 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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VISHAY/威世 |
MPG06 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NV |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY |
22+23+ |
MPG06 |
9009 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
MPG06 |
71738 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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MPG06M-E3规格书下载地址
MPG06M-E3参数引脚图相关
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2020-9-25MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5VCMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。•浮动通道操作
2013-2-7MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R
2012-11-12
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