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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems

ANPECAnpec Electronics Corp

茂达电子

ANPEC

ThickFilmSurfaceMountedWideBodyTapeandreelpackagingstandard

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

Networks

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

Networks

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement

文件:65.379 Kbytes Page:4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER
更新时间:2024-6-22 23:00:01
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