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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
SST39VF512-70-4C-NH	512Kbit/1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39LF512,SST39LF010,SST39LF020,SST39LF040andSST39VF512,SST39VF010,SST39VF020,SST39VF040are64Kx8,128Kx8,256Kx8and5124Kx8CMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecellde	SST Silicon Storage Technology，Inc.
SST39VF512-70-4C-NK	512Kbit/1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39LF512,SST39LF010,SST39LF020,SST39LF040andSST39VF512,SST39VF010,SST39VF020,SST39VF040are64Kx8,128Kx8,256Kx8and5124Kx8CMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecellde	SST Silicon Storage Technology，Inc.
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更新时间：2024-6-22 20:21:01

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MPF300T-FCG784I
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MPF300T-FCG784I现场可编程门阵列FPGA
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MPF5020AVNA0ES
功率管理專用-PMICPowerManagementIC，pre-prog，3step-downDC/DC，1LDO，QMSafetyLevel 瞭解更多
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MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R
2012-11-12