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SST39VF010	512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash PRODUCT DESCRIPTION The SST39LF512, SST39LF010,SST39LF020, SST39LF040 and SST39VF512, SST39VF010,SST39VF020, SST39VF040 are 64K x8, 128K x8, 256K x8 and 5124K x8 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell de	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST39VF010	1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash Features • Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8 • Single Voltage Read and Write Operations – 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040 – 2.7-3.6V for SST39VF010/020/040 • Superior Reliability – Endurance: 100,000 Cycles (typical) – Greater than 100 years Data Retention • Low Power Consumption (	Microchip 微芯科技	Microchip
SST39VF010	512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash 文件：454.85 Kbytes Page：25 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST39VF010	512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash 文件：640.91 Kbytes Page：24 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST

MPF39VF010供应商更多...

更新时间：2025-12-24 23:51:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科达星科技有限公司	SST39VF010-70-4C-WHE	SST	24+	TSSOP	26200	原装现货,诚信经营!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	SST39VF010-70-4I-WHE-T	MICROCHIP(美国微芯)	24+	TSOP-32-12	6120	百分百原装正品,可原型号开票	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SST39VF010-70-4C-NHE-T	Microchip(微芯)	24+	标准封装	10032	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
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深圳市富利微电子科技有限公司	SST39VF010-70-4C-WHE	SST	24+	TSSOP	33500	全新进口原装现货,假一罚十	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	SST39VF010-90-4I-WH	SST	2025+	TSSOP-32	5000	原装进口,免费送样品!	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	SST39VF010-70-4C-NHE	SST	17+	PLCC	6200	100%原装正品现货	询价

MPF300T-FCG784I
MPF200TS-FCS325M MPF300TS-FC484M MPF300TS-FCV484M MPF300TS-FCS536M MPF300TS-FC784M MPF500TS-FC784M
2022-11-14
MPF300T-1FCG1152I
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2022-10-17
MPFS250T-FCVG484E FPGAs
Microchip 的 PolarFire 是一款低功耗、多核 RISC-V SoC FPGA
2022-9-27
MPF300T-FCG784I现场可编程门阵列FPGA
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2022-7-26
MPF5020AVNA0ES
功率管理專用 - PMIC Power Management IC， pre-prog， 3 step-down DC/DC， 1 LDO， QM Safety Level 瞭解更多
2021-3-22
MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。 •浮动通道引导操作设计 •全业务600 V •容错负瞬态电压 •的dV/ dt的免疫 R
2012-11-12