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SST39SF010	512Kbit/1Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39SF512/010areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternateappro	SST Silicon Storage Technology，Inc.
SST39SF010A	1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39SF010A/020A/040areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternatea	SST Silicon Storage Technology，Inc.
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SST39SF010A	1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash Features •Organizedas128Kx8/256Kx8/512Kx8 •Single4.5-5.5VReadandWriteOperations •SuperiorReliability –Endurance:100,000Cycles(typical) –Greaterthan100yearsDataRetention •LowPowerConsumption (typicalvaluesat14MHz) –ActiveCurrent:10mA(typical) –Stand	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
SST39SF010A	1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash 文件：227.46 Kbytes Page：29 Pages	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司

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更新时间：2024-6-22 17:59:01

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MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R
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