型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO??

These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO??

These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.02788 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MNSF3P02HDR2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MNSF3P02HDR2

  • 制造商

    MOTO

  • 功能描述

    _

更新时间:2026-3-1 16:55:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
65200
ON
25+23+
SOP
26412
绝对原装正品全新进口深圳现货
ON/安森美
21+
SO-8
8080
只做原装,质量保证
ON
25+
SO-8
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
ON/安森美
25+
SO-8
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
ON
17+
SO8
6200
100%原装正品现货
ON
23+
SOP8
5000
原装正品,假一罚十
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
三年内
1983
只做原装正品
ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单

MNSF3P02HDR2数据表相关新闻

  • MOC207M

    MOC207M

    2023-6-21
  • MNS2-9-W2-TS-ST

    MNS2-9-W2-TS-ST

    2022-9-1
  • MOC211R2M 0N

    www.hfxcom.com

    2021-12-18
  • MOC208R1M全新原装现货

    可立即发货

    2019-9-24
  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述 该LM136A - 2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与 动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A - 2.5第三终端允许参考 电压和温度系数要修剪容易。该LM136A - 2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A - 2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。 生理盐水型号 LM136AH- 2.5 -贴片 L

    2013-3-17
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述 该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17