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MMSF3P02HDR2G价格
参考价格：￥3.3817
型号：MMSF3P02HDR2G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMSF3P02HDR2G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMSF3P02HDR2G批发/采购报价，MMSF3P02HDR2G行情走势销售排行榜，MMSF3P02HDR2G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMSF3P02HDR2G | Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMSF3P02HDR2G | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.02788 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 | |
MMSF3P02HDR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMSF3P02HDR2G
- 功能描述
MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
25+ |
SO-8 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ON/安森美 |
22+ |
SOIC-8 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
MOTOROLA |
2025+ |
SOP8 |
4825 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SOIC-8 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ON |
NEW |
SOP8 |
9896 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
ON/安森美 |
2450+ |
SOP8 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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2020-6-20
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