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MMSF3P02HDR2G价格
参考价格：￥3.3817
型号：MMSF3P02HDR2G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMSF3P02HDR2G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMSF3P02HDR2G批发/采购报价，MMSF3P02HDR2G行情走势销售排行榜，MMSF3P02HDR2G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMSF3P02HDR2G | Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMSF3P02HDR2G | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.02788 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 | |
MMSF3P02HDR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMSF3P02HDR2G
- 功能描述
MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
17+ |
SO8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
ON |
2016+ |
SOP8 |
2500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON/安森美 |
24+ |
65200 |
|||||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON |
25+ |
SOP8 |
185 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOP-8 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
ON/安森美 |
2022+ |
11750 |
原厂原装,假一罚十 |
||||
ON |
23+ |
SO8 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
10 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON/安森美 |
新年份 |
SOP-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
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2020-6-20
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