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MMSF3P02HDR2G价格
参考价格：￥3.3817
型号：MMSF3P02HDR2G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMSF3P02HDR2G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMSF3P02HDR2G批发/采购报价，MMSF3P02HDR2G行情走势销售排行榜，MMSF3P02HDR2G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMSF3P02HDR2G | Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMSF3P02HDR2G | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.02788 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 | |
MMSF3P02HDR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMSF3P02HDR2G
- 功能描述
MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON/安森美 |
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SOP8 |
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2020-6-20
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