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APT12060LVFR	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT12060LVR	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Iden	ADPOW Advanced Power Technology
12060	CONTINENTALEUROPECORDSETCEE7/7STRAIGHTTOIEC60320C19 文件：48.14 Kbytes Page：1 Pages	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc
12060	NylonSnapLockPins 文件：147.6 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
APT12060LVFR	POWERMOSV 文件：121.63 Kbytes Page：4 Pages	ADPOW Advanced Power Technology

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更新时间：2024-5-25 23:52:01

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MNS2-9-W2-TS-ST
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2022-9-1
MMZ25332B4T1
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
MN101AF68G
MN101AF68G，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-2
MMSZ5248BT1G
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2019-11-15
MNLM136A-2.5V基准二极管，保证10万的RAD（四）经测试符合MIL-STD-883，方法1019.5
一般描述该LM136A-2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A-2.5第三终端允许参考电压和温度系数要修剪容易。该LM136A-2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值，电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外，经营作为分流自LM136A-2.5稳压器，它可以被用作一个正或负电压基准。生理盐水型号LM136AH-2.5-贴片L
2013-3-17
MNLM129A-X-精密基准
一般描述该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳
2013-3-17

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