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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENG

拓锋半导体

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

20V P-Channel Increased MOS FET

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FUMAN

富满微

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-11 17:06:01
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  • MMSZ5249BT1G 只有原装现货,无其它

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    2025-2-19
  • MMZ25332B4T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • MN101AF68G

    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MMSZ5248BT1G

    MMSZ5248BT1G

    2019-11-15
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述 该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17
  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述 该LM136A - 2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与 动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A - 2.5第三终端允许参考 电压和温度系数要修剪容易。该LM136A - 2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A - 2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。 生理盐水型号 LM136AH- 2.5 -贴片 L

    2013-3-17