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MMZ25332B价格
参考价格：￥25.0047
型号：MMZ25332BT1 品牌：Freescale 备注：这里有MMZ25332B多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMZ25332B批发/采购报价，MMZ25332B行情走势销售排行榜，MMZ25332B报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMZ25332B | HeterojunctionBipolarTransistor 1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 |  |   |
MMZ25332B | HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | |
InGaPGaAsHBT 1500–2700MHz,26.5dB,33dBmInGaPHBTLINEARAMPLIFIER TheMMZ25332B4isaversatile2--stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre--driverapplicationsformacroandmicrobasestationsandfinalstageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencyb | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
InGaPGaAsHBT 1500–2700MHz,26.5dB,33dBmInGaPHBTLINEARAMPLIFIER TheMMZ25332B4isaversatile2--stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre--driverapplicationsformacroandmicrobasestationsandfinalstageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencyb | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | | |
HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
封装/外壳：24-VFQFN 裸露焊盘 包装：托盘 描述：IC AMP WLAN 1.5GHZ-2.7GHZ 24QFN RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
封装/外壳：12-VFQFN 裸露焊盘 包装：带 描述：IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | |
MMZ25332B产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMZ25332B
- 功能描述
射频GaAs晶体管 31DBM GAAS AMP
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
21+ |
QFN12 |
2236 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
QFN |
20000 |
原装现货,实单支持 |
|||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
QFN-12 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
NXP |
2020+ |
QFN12 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
NXP/恩智浦 |
QFN12 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
NXP |
23+ |
12-VFQFN |
8000 |
原装现货 支持实单 |
|||
NXP(恩智浦) |
21+ |
6000 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
||||
NXP(恩智浦) |
22+ |
NA |
6000 |
原厂原装现货 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
QFN |
9000 |
原装正品 |
|||
NXP |
22+ |
QFN |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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MMZ25332B规格书下载地址
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- MN112BX
- MN112BPCX
- MN10CEC/STX
- MN103
- MN101LR05DXW
- MN101LR04DXW
- MN101EFA7DXY
- MN101EFA7DXW
- MN101EFA6AXW
- MN101EFA5AXW-E1
- MN101CF77GXN
- MN101CF49KXN
- MN095401-1
- MN094701-1
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- MMZJ3.0
- MMZJ27
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- MMZJ22
- MMZJ20
- MMZJ2.7
- MMZJ2.4
- MMZJ2.2
- MMZJ2.0
- MMZJ18
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- MMZ25333BT1
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- MMZ2012Y601BT000
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- MMZ2012Y600B
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- MMZ2012Y301B
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- MMZ2012Y150BT000
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MMZ25332B数据表相关新闻
MMSZ5240B
现货
2020-11-14MMZ25332B4T1
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13MMSZ5243BT1
MMSZ5243BT1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-4MN101AF68G
MN101AF68G，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-2MMSZ5248BT1G
MMSZ5248BT1G
2019-11-15MNLM129A-X-精密基准
一般描述该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳
2013-3-17
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