MMZ25332BT1价格

参考价格:¥25.0047

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMZ25332BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

1800--2800 MHz, 26.5 dB 33 dBm InGaP HBT The MMZ25332B is a 2--stage, high linearity InGaP HBT broadband amplifier designed for femtocell, picocell, WLAN (802.11g/n), W--CDMA, TD--SCDMA and LTE wireless broadband applications. It provides exceptional linearity for LTE and W--CDMA air interfaces w

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MMZ25332BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

ETC

知名厂家

MMZ25332BT1

封装/外壳:12-VFQFN 裸露焊盘 包装:带 描述:IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

ETC

知名厂家

MMZ25332BT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMZ25332BT1

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 31DBM GAAS AMP

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-8-9 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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    https://hch01.114ic.com/

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    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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