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位置：首页 > IC中文资料第1832页 > MMSF3P02HDR

MMSF3P02HDR价格

参考价格：￥3.3817

型号：MMSF3P02HDR2G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMSF3P02HDR多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMSF3P02HDR批发/采购报价，MMSF3P02HDR行情走势销售排行榜，MMSF3P02HDR报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMSF3P02HDR2

PowerMOSFET3Amps,20VoltsP?묬hannelSO??

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstandinghighenergyintheavalancheandcommutationmodesandthedrain−to−sourcediodehasaverylowreverserecoverytime.MiniMOSdevicesaredesignedforuseinlowvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMSF3P02HDR2G

PowerMOSFET3Amps,20VoltsP?묬hannelSO??

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstandinghighenergyintheavalancheandcommutationmodesandthedrain−to−sourcediodehasaverylowreverserecoverytime.MiniMOSdevicesaredesignedforuseinlowvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMSF3P02HDR2G

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件：1.02788 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MMSF3P02HD

SINGLETMOSPOWERMOSFET3.0AMPERES20VOLTS

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSSingleP-ChannelFieldEffectTransistors MiniMOS™devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocess. •UltraLowRDS(on)ProvidesHigherEfficiencyandExtendsBatteryLife •LogicLevelGat

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MMSF3P02HD

PowerMOSFET3Amps,20VoltsP?묬hannelSO??

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstandinghighenergyintheavalancheandcommutationmodesandthedrain−to−sourcediodehasaverylowreverserecoverytime.MiniMOSdevicesaredesignedforuseinlowvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
RD3P02BAT

Pch-100V-20APowerMOSFET

Features 1)Lowon-resistance 2)Highpowersmallmoldpackage 3)Pb-freeplating;RoHScompliant 4)100RgandUIStested 5)Halogenfree Application Switching

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
WFY3P02

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SDT3P02-C

Dual-PEnhancementModeMOSFET

文件：399.2 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

MMSF3P02HDR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMSF3P02HDR

  • 功能描述

    MOSFET 20V 3A P-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

MMSF3P02HDR供应商更多...

更新时间：2025-6-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
MMSF3P02HDR2
ON/安森美
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