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MRF9030LR1	The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs The RF Sub- Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF9030LR1	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：356.76 Kbytes Page：10 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

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更新时间：2025-10-23 17:13:01

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2025-2-18
MMQA5V6T1G
MMQA5V6T1G ESD 抑制器/TVS 二极管 5.6V 150W TVS Quad Array
2023-2-8
MMSD914T1G
MMSD914T1G 整流二极管 ON 封装SOD123
2022-7-16
MMPF0100F0AEP中文产品资料功能描述
MMPF0100F0AEP中文产品资料
2022-5-31
MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AZES NXP/恩智浦 21+ QFN56
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2022-1-29
MMSZ18T1G原装正品现货热卖有其他物料需求可以请按品牌找业务询价专注原装用芯服务
MMSZ18T1G 制造商:ON Semiconductor 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:18 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123-2 Pd-功率耗散:500 mW 电压容差:5 %_ 电压温度系数:- 齐纳电流:50 nA Zz - 齐纳阻抗:45 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:5 mA 封装:Cut Tape 封装:Mo
2020-6-20