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MRF9030LR1

The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

The RF Sub- Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-

Motorola

摩托罗拉

MRF9030LR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:356.76 Kbytes Page:10 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF9030LR1

封装/外壳:NI-360 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 945MHZ NI-360 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF9030LR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF9030LR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 30W RF PWR FET NI-360L

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-9 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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恩XP
22+
NI360
9000
原厂渠道,现货配单

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