型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMDJ3P03BJT

DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES

Plastic Power Transistors SO–8 for Surface Mount Applications • Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc = 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc • Low Collector –Emitter Saturation Voltage — VCE(sat)

Motorola

摩托罗拉

MMDJ3P03BJT

Plastic Power Transistors

文件:210.17 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 125mΩ ID ‐3.1A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

DUAL TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS

Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual P-Channel Field Effect Transistors Dual HDTMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. Dual HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where p

Motorola

摩托罗拉

P?묬hannel Power MOSFET

文件:273.23 Kbytes Page:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMDJ3P03BJT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMDJ3P03BJT

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES

更新时间:2025-8-23 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装 研究所指定供货商
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
ON/安森美
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原装正品代理渠道价格优势
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明嘉莱只做原装正品现货

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