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MMBTA45	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES Collector-Emittervoltage:VCEO=400V(UTCMMBTA44) VCEO=350V(UTCMMBTA45) Collectorcurrentupto300mA ComplementtoUTCMMBTA94/93 PowerDissipation:PD(max)=350mW	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
MMBTA45	NPN Transistors 文件：1.22421 Mbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
MMBTA45	NPN Transistors 文件：1.26037 Mbytes Page：2 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
MMBTA45-AE3-R	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES Collector-Emittervoltage:VCEO=400V(UTCMMBTA44) VCEO=350V(UTCMMBTA45) Collectorcurrentupto300mA ComplementtoUTCMMBTA94/93 PowerDissipation:PD(max)=350mW	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
MMBTA45L-AE3-R	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES Collector-Emittervoltage:VCEO=400V(UTCMMBTA44) VCEO=350V(UTCMMBTA45) Collectorcurrentupto300mA ComplementtoUTCMMBTA94/93 PowerDissipation:PD(max)=350mW	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
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MMBTA45G-AE3-R	HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 文件：232.51 Kbytes Page：4 Pages	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
MMBTA45G-AE3-R	HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 文件：201.32 Kbytes Page：4 Pages	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
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更新时间：2025-7-30 23:00:00

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