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MMBTA45L-AE3-R

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FEATURES * Collector-Emitter voltage: VCEO=400V (UTC MMBTA44) VCEO=350V (UTC MMBTA45) * Collector current up to 300mA * Complement to UTC MMBTA94/93 * Power Dissipation: PD(max)=350mW

UTC

友顺

MMBTA45L-AE3-R

HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

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更新时间:2025-12-18 15:54:00
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