位置:首页 > IC中文资料第1477页 > MMBTA28
MMBTA28晶体管资料
MMBTA28别名:MMBTA28三极管、MMBTA28晶体管、MMBTA28晶体三极管
MMBTA28生产厂家:
MMBTA28制作材料:Si-N+Darl
MMBTA28性质:表面帖装型 (SMD)
MMBTA28封装形式:贴片封装
MMBTA28极限工作电压:80V
MMBTA28最大电流允许值:0.5A
MMBTA28最大工作频率:<1MHZ或未知
MMBTA28引脚数:3
MMBTA28最大耗散功率:0.625W
MMBTA28放大倍数:β>10000
MMBTA28图片代号:H-15
MMBTA28vtest:80
MMBTA28htest:999900
- MMBTA28atest:0.5
MMBTA28wtest:0.625
MMBTA28代换 MMBTA28用什么型号代替:BCV47,
MMBTA28价格
参考价格:¥0.3392
型号:MMBTA28 品牌:Fairchild 备注:这里有MMBTA28多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMBTA28批发/采购报价,MMBTA28行情走势销售排行榜,MMBTA28报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
MMBTA28 | NPN Darlington Transistor NPNDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcollectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess03. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
MMBTA28 | NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •BVCES>80V •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighR | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | ||
MMBTA28 | NPN Surface Mount Darlington Transistor Features •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Moist | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | ||
MMBTA28 | TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrentGain | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | ||
MMBTA28 | NPN Darlington Transistor Description Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainatcollectorcurrentsto500mA.Sourcedfromprocess03. Features •ThesearePb−FreeDevices | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
MMBTA28 | NPN Transistor Bare Die Features: Collectorcurrentupto0.8A Veryhighcurrentgain Enableshighimpedancecircuitry Goldbackmetal HighreliabilitytestedgradesforMilitary+Space | SS Silicon Supplies | ||
MMBTA28 | NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES •HighCurrentGain | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | ||
MMBTA28 | TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrentGain | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | ||
MMBTA28 | PNP Digital Transistors 文件:234.89 Kbytes Page:3 Pages | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | ||
MMBTA28 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 文件:2.74045 Mbytes Page:4 Pages | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | ||
MMBTA28 | 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN DARL 80V 0.8A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
MMBTA28 | NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件:89.83 Kbytes Page:3 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | ||
MMBTA28 | NPN Surface Mount Darlington Transistor 文件:855.09 Kbytes Page:4 Pages | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | ||
MMBTA28 | NPN Darlington Transistor 文件:634.59 Kbytes Page:15 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
MMBTA28 | NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件:110.84 Kbytes Page:3 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | ||
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •BVCES>80V •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighR | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES •HighCurrentGain | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | |||
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件:89.83 Kbytes Page:3 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
PNP Digital Transistors 文件:234.89 Kbytes Page:3 Pages | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | |||
80V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23 文件:301.12 Kbytes Page:6 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
NPN Surface Mount Darlington Transistor 文件:855.09 Kbytes Page:4 Pages | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | |||
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件:110.84 Kbytes Page:3 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
80V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23 文件:301.12 Kbytes Page:6 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司 | |||
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件:89.83 Kbytes Page:3 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件:110.84 Kbytes Page:3 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
80V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23 文件:301.12 Kbytes Page:6 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |||
TRANSISTOR (NPN) 文件:416.45 Kbytes Page:5 Pages | RECTRON Rectron Semiconductor |
MMBTA28产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBTA28
- 功能描述
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SSOT-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
DIODES/美台 |
21+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
DIODES/美台 |
25+ |
SOT-23 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
原装正品DIODES |
21+ |
SOT23 |
567000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
DIODES/美台 |
25+ |
SOT23 |
32360 |
DIODES/美台全新特价MMBTA28-7-F即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
DIODES |
24+ |
SOT23 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
|||
DIODES/美台 |
1942+ |
SOT-23 |
9852 |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
MMBTA28规格书下载地址
MMBTA28参数引脚图相关
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- nand闪存
- n74
- n100
- mxt
- murata
- mt7201
- mt6795
- msm8625q
- msm7227a
- MP4
- MP3
- mos晶体管
- mos管
- MOSFET
- molex连接器
- MMCM2487
- MMCM2484
- MMCM2389
- MMCM2369
- MMCM2222
- MMCM2221
- MMBV109
- MMBV105
- MMBTH81
- MMBTH34
- MMBTH24
- MMBTH11
- MMBTH10
- MMBTA94
- MMBTA93
- MMBTA92
- MMBTA70
- MMBTA65
- MMBTA64
- MMBTA63
- MMBTA56
- MMBTA55
- MMBTA517
- MMBTA45
- MMBTA44
- MMBTA43
- MMBTA42
- MMBTA20
- MMBTA14
- MMBTA13
- MMBTA12
- MMBTA11
- MMBTA10
- MMBTA06
- MMBTA05
- MMBT945
- MMBT930
- MMBT918
- MMBT8599
- MMBT8598
- MMBT720
- MMBT6543
- MMBT6520
- MMBT6517
- MMBT6429
- MMBT6428
- MMBT6427
- MMBT6426
- MMBT619
- MMBT593
- MMBT591
- MMBT589
- MMBT56
- MMBT5551
- MMBT5550
- MMBT5401
- MMBT493
- MMBT491
- MMBT42
- MMBT28S
- MMBT200
MMBTA28数据表相关新闻
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管,采用 SOT-23 封装,符合 AEC-Q101 要求,适用于汽车、工业等领域。
MMBT5551LT1G是安森美半导体推出的一款NPN型硅高压晶体管,采用SOT-23封装,符合AEC-Q101要求,适用于汽车、工业等领域。
2025-7-22MMBTA56LT1G
进口代理
2024-1-30MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18MMBTA64-7-F 达林顿晶体管
MMBTA64-7-F达林顿晶体管
2021-1-12MMBTA28-7-F,美台原装正品,SOT-23
MMBTA28-7-F,美台原装正品,SOT-23
2019-5-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102