MMBT6520晶体管资料

  • MMBT6520别名:MMBT6520三极管、MMBT6520晶体管、MMBT6520晶体三极管

  • MMBT6520生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBT6520制作材料

  • MMBT6520性质:低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • MMBT6520封装形式

  • MMBT6520极限工作电压:350V

  • MMBT6520最大电流允许值:0.5A

  • MMBT6520最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MMBT6520引脚数

  • MMBT6520最大耗散功率:0.3W

  • MMBT6520放大倍数

  • MMBT6520图片代号:NO

  • MMBT6520vtest:350

  • MMBT6520htest:999900

  • MMBT6520atest:0.5

  • MMBT6520wtest:0.3

  • MMBT6520代换 MMBT6520用什么型号代替

MMBT6520价格

参考价格:¥0.2569

型号:MMBT6520LT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有MMBT6520多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMBT6520批发/采购报价,MMBT6520行情走势销售排行榜,MMBT6520报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBT6520

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistor PNP Silicon

LRC

乐山无线电

MMBT6520

High Voltage Transistor

■ Features ● Collector-Emitter Voltage: VCEO= -350V ● High Voltage Transistor

KEXIN

科信电子

MMBT6520

小信号晶体管

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -350V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE=30(Min)@ (VCE= -10V, IC= -10mA) ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max)@ (IC= -30mA, IB= -3mA) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistor PNP Silicon

LRC

乐山无线电

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon

Motorola

摩托罗拉

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

PNP Transistors

文件:1.35696 Mbytes Page:4 Pages

KEXIN

科信电子

PNP Transistors

文件:1.39783 Mbytes Page:4 Pages

KEXIN

科信电子

isc Silicon PNP Power Transistors

文件:301.17 Kbytes Page:3 Pages

ISC

无锡固电

高压 PNP 双极晶体管

ONSEMI

安森美半导体

三极管

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

Scalable Enterprise-Class SAN Switch for Highly Virtualized, Cloud Environments

文件:273.08 Kbytes Page:6 Pages

BOARDCOM

博通

MSD 7AL-2 Plus Ignition

文件:3.71355 Mbytes Page:16 Pages

MALLORY

4-port Industrial 10 Mbps Ethernet Hub

文件:151.04 Kbytes Page:1 Pages

ADVANTECH

研华科技

5-port 10/100 Mbps Industrial Ethernet Switches

文件:58.12 Kbytes Page:1 Pages

ADVANTECH

研华科技

5-port 10/100 Mbps Industrial Ethernet Switches

文件:58.12 Kbytes Page:1 Pages

ADVANTECH

研华科技

MMBT6520产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT6520

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23(TO-236)
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ON/安森美
2021+
SOT-23(SOT-23-3)
7600
原装现货,欢迎询价
ON
25+23+
SMD
38742
绝对原装正品全新进口深圳现货
ON/安森美
25+
SOT23
37306
ON/安森美全新特价MMBT6520LT1G即刻询购立享优惠#长期有货
ON
22+
SOT23
3000
原装正品,支持实单
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
8080
只做原装,质量保证
ON/安森美
2450+
SOT-23
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
MOTOROLA
25+
870
公司优势库存 热卖中!
ON/安森美
2406+
SOT-23
71260
诚信经营!进口原装!量大价优!
ON
22+
SOT23
13037
进口原装

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