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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT6520LT3G | HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
MMBT6520LT3G | HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MMBT6520LT3G | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
HighVoltageTransistorPNPSiliconRoHSrequirements. 文件：246.55 Kbytes Page：6 Pages | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |  | |
MMBT6520LT3G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT6520LT3G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|||
ON |
23+ |
SOT-23 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SOT23 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
ON |
19+ |
SOT-23 |
84767 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
ON |
2016+ |
6528 |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
||||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
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2022-6-18MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压VCEO:160V 集电极—基极电压VCBO:180V 发射极-基极电压VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:200mV 很大直流电集电极电流:600mA Pd-功率耗散:300mW 增益带宽产品fT:300MHz
2022-3-22MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
2019-5-14
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