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MMBT6517LT1G价格
参考价格：￥0.5746
型号：MMBT6517LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT6517LT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT6517LT1G批发/采购报价，MMBT6517LT1G行情走势销售排行榜，MMBT6517LT1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT6517LT1G | High Voltage Transistor High Voltage Transistor NPN Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMBT6517LT1G | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：剪切带（CT） 描述：TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
High Voltage Transistor(NPN Silicon) High Voltage Transistor NPN Silicon | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
High Voltage Transistors 文件：181.49 Kbytes Page：6 Pages | LRC 乐山无线电 | | ||
High Voltage Transistors 文件：430.3 Kbytes Page：8 Pages | LRC 乐山无线电 | | ||
High Voltage Transistors NPN Silicon RoHS requirements. 文件：247.4 Kbytes Page：6 Pages | LRC 乐山无线电 | | ||
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：76.52 Kbytes Page：1 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | |
MMBT6517LT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT6517LT1G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
9415 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
SOT23 |
37305 |
ON/安森美全新特价MMBT6517LT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON |
10+ |
SOT-23 |
5666 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
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ON |
23+ |
NA |
13650 |
原装正品,假一罚百! |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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ON/安森美 |
2450+ |
SOT-23 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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MMBT6517LT1G数据表相关新闻
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
2025-7-22MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 集电极—射极饱和电压: 200 mV 很大直流电集电极电流: 600 mA Pd-功率耗散: 300 mW 增益带宽产品fT: 300 MHz
2022-3-22MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
2019-5-14
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