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MMBT6517晶体管资料
MMBT6517别名：MMBT6517三极管、MMBT6517晶体管、MMBT6517晶体三极管
MMBT6517生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBT6517制作材料：
MMBT6517性质：低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
MMBT6517封装形式：
MMBT6517极限工作电压：350V
MMBT6517最大电流允许值：0.5A
MMBT6517最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBT6517引脚数：
MMBT6517最大耗散功率：0.3W
MMBT6517放大倍数：
MMBT6517图片代号：NO
MMBT6517vtest：350
MMBT6517htest：999900
- MMBT6517atest：0.5
MMBT6517wtest：0.3
MMBT6517代换 MMBT6517用什么型号代替：
MMBT6517价格
参考价格：￥0.5746
型号：MMBT6517LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT6517多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT6517批发/采购报价，MMBT6517行情走势销售排行榜，MMBT6517报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT6517 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) High Voltage Transistors NPN Silicon | LRC 乐山无线电 |   | |
MMBT6517 | High Voltage Transistors Features ● NPN Silicon | KEXIN 科信电子 | | |
High Voltage Transistor(NPN Silicon) High Voltage Transistor NPN Silicon | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
High Voltage Transistor High Voltage Transistors NPN Silicon | Motorola 摩托罗拉 | | ||
High Voltage Transistors(NPN Silicon) High Voltage Transistors NPN Silicon | LRC 乐山无线电 | | ||
High Voltage Transistor High Voltage Transistor NPN Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
High-Side Switch Description High side switch for USB is a high side switch having over current protection used in power supply line of universal serial bus (USB). Its switch unit has two channels of N-channel power MOSFET, and current of 500mA as USB standard can be flown to the respective channels. And, over cu | ROHM 罗姆 | | ||
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6517B Electrometer/High Resistance Meter 文件：921.27 Kbytes Page：12 Pages | TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司 | | ||
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MMBT6517产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT6517
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
15+ |
SOT-23 |
6698 |
||||
ON/FAIRCHILD |
23+ |
SOT-23 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
ON |
18+ |
SOT23 |
30000 |
ON专营→可提供17发票 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT23 |
10 |
原装现货假一赔十 |
|||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
ON |
24+ |
SOT-23 |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
ON |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
24+ |
N/A |
67000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
MMBT6517芯片相关品牌
MMBT6517规格书下载地址
MMBT6517参数引脚图相关
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MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
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2025-7-22MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 集电极—射极饱和电压: 200 mV 很大直流电集电极电流: 600 mA Pd-功率耗散: 300 mW 增益带宽产品fT: 300 MHz
2022-3-22MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
2019-5-14
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