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MMBT6429LT1	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT6429LT1	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon	LRC 乐山无线电	LRC
LMBT6429LT1G	Amplifier Transistors 文件：282.02 Kbytes Page：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LMBT6429LT1G	Amplifier Transistors NPN Silicon RoHS requirements. 文件：283.04 Kbytes Page：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC

MMBT6429LT1(M1L)供应商更多...

更新时间：2025-10-30 10:04:01

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深圳市芯皇电子有限公司	MMBT6429LT1	ON/安森美	23+	SOT-23	66600	专业芯片配单原装正品假一罚十	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	MMBT6429LT1	MOTOROLA/摩托罗拉	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	MMBT6429LT1G	ON	24+	BGA64	8500	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
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上海意淼电子科技有限公司	MMBT6429LT1	ON	23+	NA	20000	全新原装假一赔十	询价

MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
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2025-7-22
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8
MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18
MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 集电极—射极饱和电压: 200 mV 很大直流电集电极电流: 600 mA Pd-功率耗散: 300 mW 增益带宽产品fT: 300 MHz
2022-3-22
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
2019-5-14