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MMBT6429LT1	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT6429LT1	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon	Motorola 摩托罗拉	Motorola
LMBT6429LT1G	Amplifier Transistors 文件：282.02 Kbytes Page：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LMBT6429LT1G	Amplifier Transistors NPN Silicon RoHS requirements. 文件：283.04 Kbytes Page：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC

MMBT6429LT1(M1L)供应商更多...

更新时间：2025-10-30 23:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
2025-7-22
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8
MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18
MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 集电极—射极饱和电压: 200 mV 很大直流电集电极电流: 600 mA Pd-功率耗散: 300 mW 增益带宽产品fT: 300 MHz
2022-3-22
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
2019-5-14