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位置：首页 > IC中文资料第661页 > MMBT5401L

MMBT5401L价格

参考价格：￥0.0670

型号：MMBT5401LT1G 品牌：ON 备注：这里有MMBT5401L多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT5401L批发/采购报价，MMBT5401L行情走势销售排行榜，MMBT5401L报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBT5401L

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401L-AE3-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V * Collector Dissipation: Pc(max)=350mW * High current gain

UTC

友顺

MMBT5401LT1

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT1

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon

Motorola

摩托罗拉

MMBT5401LT1

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistor PNP Silicon

LRC

乐山无线电

MMBT5401LT1

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The MMBT5401LT1 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High Collector-Emitter Breakdown Voltage. BVCEO=150V(@ IC=1mA) • Complements to NPN Type MMBT5551LT1.

TGS

MMBT5401LT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.3 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -160 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

AVICTEK

MMBT5401LT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

WINNERJOIN

永而佳

MMBT5401LT1

High Voltage Transistor

FEATURE ● Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威伦威伦电子股份有限公司

MMBT5401LT1G

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT1G

High Voltage Transistor PNP Silicon

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT1G

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT1G

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT3

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT3G

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT3G

High Voltage Transistor PNP Silicon

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT3G

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT3G

High Voltage Transistor

High Voltage Transistor PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT1_15

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages

WINNERJOIN

永而佳

MMBT5401LT3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401LT3G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MMBT5401L-X-AE3-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

文件：104.95 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

5401

Introduction to Knowles Precision Devices

Applications  RF amplifier  LC Filters and Networks  Broadband Wireless LAN  Medical Devices  Cordless and Cellular phones  DR/Crystal Oscillator  Microstrip line filters

KNOWLES

楼氏电子

5401

Precision Potentiometer

文件：110.12 Kbytes Page：4 Pages

BITECH

瑞谷拜特

5401

Model 5515A PLCC Test Adapters Kit

文件：100.76 Kbytes Page：2 Pages

3M

5401

Quad 2-Input NAND Gates with Open-Collector Outputs

文件：97.92 Kbytes Page：4 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

5401

PLCC Test Adapters Kit

文件：102.67 Kbytes Page：2 Pages

POMONA

Pomona Electronics

MMBT5401L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT5401L

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MMBT5401L供应商更多...

更新时间：2025-8-9 8:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
讯运(深圳/上海)电子有限公司
MMBT5401LT1G
ON
18+
SOT23
30000
ON专营→可提供17发票
询价
深圳市胜彬电子有限公司
MMBT5401LT1G
ON/安森美
22+
SOT-23
8000
原装正品现货假一罚十
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深圳市特瑞斯科技有限公司
MMBT5401LT1G
ON
23+
SOT-23
960000
一级分销商
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瀚佳科技(深圳)有限公司
MMBT5401LT1G
ON
24+
SOT23
98000
一级代理/全新原装现货/长期供应!
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深圳市凌旭科技有限公司
MMBT5401LT1G
ON
2016+
SOT23
12000
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深圳市华康联电子科技有限公司
MMBT5401LT1G
ON
22+
3000
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深圳市高捷芯城科技有限公司
MMBT5401LT3G
onsemi(安森美)
24+
SOT-23-3
7957
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深圳市宝芯创电子有限公司
MMBT5401LT1G
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21+
SOT23
90000
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!
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深圳市力仕科电子科技有限公司
MMBT5401LT1G
onsemi(安森美)
25
SOT-23
7321
QQ询价 绝对原装正品
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深圳市益百分电子有限公司
MMBT5401LT1G
ON/安森美
20+
SOT-23
243000
询价

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