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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
MMBT3906LT1	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司
MMBT3906LT1	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT3906LT1	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3906LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C JunctionTemper	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
LMBT3906LT1	GeneralPurposeTransistors 文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT3906LT1G	GeneralPurposeTransistors 文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司

MMBT3906LT1XT供应商更多...

更新时间：2025-7-20 23:00:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT3906LT1H	onsemi(安森美)	24+	SOT-23-3	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MMBT3906LT1HTSA1	Infineon(英飞凌)	24+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市凌旭科技有限公司	MMBT3906LT1G	ON	2016+	SOT23	3000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	MMBT3906LT1G	ON	24+	SOT23	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市富利微电子科技有限公司	MMBT3906LT1	ON/安森美	24+	SOT23-6	30000	房间原装现货特价热卖,有单详谈	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	MMBT3906LT1	ON/安森美	1950+	SOT23	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	MMBT3906LT1HTSA1	INFINEON/英飞凌	22+		100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	MMBT3906LT1G	ON/安森美	25+	SOT23	54648	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	MMBT3906LT12A	长电	25+23+	SOT23	35263	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MMBT3906LT1	ON	23+	SOT23	6893		询价

MMBT3904VL一款NPN型的小信号晶体管
MMBT3904VL应用于消费电子、通信、数据传输、传感器接口、低功耗逻辑电路和模拟电路等领域。
2023-6-30
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
2023-2-9
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3906WT1G双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)，SC-70-3，ON安森美原装现货
2022-2-22
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-5-15
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-3-9
MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3