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位置：首页 > IC中文资料第1886页 > MMBFJ309

MMBFJ309价格

参考价格：￥0.5166

型号：MMBFJ309 品牌：Fairchild 备注：这里有MMBFJ309多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBFJ309批发/采购报价，MMBFJ309行情走势销售排行榜，MMBFJ309报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBFJ309

SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers

N-Channel RF Amplifier • This device is designed for RF amplifier and mixer applications operating up to 450MHz, and for analog switching requiring low capacitance. • Sourced from process 50.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MMBFJ309

N-Channel RF Amplifier

N-Channel RF Amplifier This device is designed for VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer applications. As a common gate amplifier, 16 dB at 100 MHz and 12 dB at 450 MHz can be realized. Sourced from Process 92.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MMBFJ309

JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

JFET − VHF/UHF Amplifier Transistor Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309

J-FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR

J-FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR N-CHANNEL For VHF/UHF Applications

PANJIT

強茂

MMBFJ309

N-Channel RF Amplifier

文件：213.26 Kbytes Page：6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MMBFJ309

N-Channel RF Amplifier

文件：207.99 Kbytes Page：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MMBFJ309

N-Channel RF Amplifier

文件：213.26 Kbytes Page：6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MMBFJ309

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309

J-FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR

PANJIT

強茂

MMBFJ309

N 沟道 RF 晶体管

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309L

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor

Features • Drain and Source are Interchangeable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309L

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N−Channel

Features • Drain and Source are Interchangeable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309L_V01

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N−Channel

Features • Drain and Source are Interchangeable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1

JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel

Motorola

摩托罗拉

MMBFJ309LT1

JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

JFET − VHF/UHF Amplifier Transistor Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1G

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N−Channel

Features • Drain and Source are Interchangeable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1G

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor

JFET − VHF/UHF Amplifier Transistor Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309_10

N-Channel RF Amplifier

文件：213.26 Kbytes Page：6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MMBFJ309LT1

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel

文件：64.45 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1

JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

ETC

知名厂家

MMBFJ309LT1_06

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel

文件：64.45 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1G

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel

文件：64.45 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1G

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor

文件：150.09 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：散装 描述：RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ONSEMI

安森美半导体

MMBFJ309LT1G_09

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor

文件：150.09 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

309

Military Grade Ethernet Switch On Board (ESoB)

PRODUCT DESCRIPTION One of the most exciting advancement in technology over the last decade has been unmanned vehicles i n cluding: • Unmanned aerial vehicles (UAVs) or Drones • Land autonomous vehicles (UGVs) • Robots • Other unmanned support vehicles These vehicles must be agile, compact

ENERCON

309CMQ

SCHOTTKY RECTIFIER

175℃ TJ operation Center tap module High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance Low forward voltage drop High frequency operation Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability Base plate: Nickel plated; Terminals

SMCDIODE

桑德斯微电子

309

Measure Earth Resistance (20/200/2000廓 ranges)

文件：122.87 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

309CMQ

Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability

文件：164.92 Kbytes Page：4 Pages

SMC

桑德斯微电子

309CNQ

Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability

文件：163.79 Kbytes Page：4 Pages

SMC

桑德斯微电子

MMBFJ309产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBFJ309

  • 功能描述

    射频JFET晶体管 NCh RF Transistor

  • RoHS

    否

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    N-Channel 正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）

    电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    漏源电压

  • VDS

    40 V

  • 闸/源截止电压

    5 V

  • 闸/源击穿电压

    40 V

  • 最大漏极/栅极电压

    40 V 漏极电流（Vgs=0 时的

  • Idss）

    25 mA to 75 mA

  • 功率耗散

    250 mW

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23

  • 封装

    Reel

MMBFJ309供应商更多...

更新时间：2025-9-25 19:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
MMBFJ309LT1G
ONSEMI/安森美
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SOT-23
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ONSEMI/安森美原装特价MMBFJ309LT1G即刻询购立享优惠#长期有货
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