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AO4882	40V Dual N-Channel MOSFET General Description The AO4882 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an all purpose device that is suitable for use in a wide range of power conversion applications. Product Summary VDS 40V ID (	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4882	40V Dual N-Channel MOSFETs ● Application DC-DC Converters. Load Switch. Power Management.	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
4882	SM STANDOFF 文件：105.91 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
AO4882	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.004 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4882	Dual N-Channel MOSFET 文件：1.42123 Mbytes Page：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

MMBF4882供应商更多...

更新时间：2025-10-27 20:00:01

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MMBFJ177LT1G 是安森美（onsemi）推出的一款 P 沟道结型场效应管（JFET）。
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2025-7-18
MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15
MMBF4393LT1G
商品目录结型场效应晶体管（JFET）连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12
MMBFJ112 MOS场效应管晶体管十年IC，只做原装
MMBFJ112 十年IC，只做原装
2020-10-20
MMBF5484RF放大器SOT-23全新原装现货直拍丝印6B
MMBF5484 RF 放大器 SOT-23 全新原装现货直拍丝印6B
2019-2-25