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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.) @ VGS=4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems | ANPEC 茂达电子 |   | ||
Thick Film Surface Mounted Wide Body Tape and reel packaging standard 文件：235.57 Kbytes Page：2 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Networks 文件：63.6 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Networks 文件：29.03 Kbytes Page：2 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement 文件：65.379 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
MMBF4416_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBF4416_Q
- 功能描述
射频JFET晶体管 NCh RF Transistor
- RoHS
否
- 制造商
NXP Semiconductors
- 配置
Single
- 晶体管极性
N-Channel 正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
电阻汲极/源极
- RDS（导通）
漏源电压
- VDS
40 V
- 闸/源截止电压
5 V
- 闸/源击穿电压
40 V
- 最大漏极/栅极电压
40 V 漏极电流（Vgs=0 时的
- Idss）
25 mA to 75 mA
- 功率耗散
250 mW
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-23
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-2-25
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