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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.) @ VGS=4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems | ANPEC 茂达电子 |   | ||
Thick Film Surface Mounted Wide Body Tape and reel packaging standard 文件：235.57 Kbytes Page：2 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Networks 文件：63.6 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Networks 文件：29.03 Kbytes Page：2 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement 文件：65.379 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APM |
24+ |
NA/ |
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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APM |
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原装正品,欢迎来电咨询! |
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原装正品代理渠道价格优势 |
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2025-7-18MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12MMBFJ112 MOS场效应管 晶体管 十年IC，只做原装
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2019-2-25
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