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MMBD914LT1H价格
参考价格：￥0.1222
型号：MMBD914LT1HTSA1 品牌：Infineon Technologies 备注：这里有MMBD914LT1H多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBD914LT1H批发/采购报价，MMBD914LT1H行情走势销售排行榜，MMBD914LT1H报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High-SpeedSwitchingDiode High-SpeedSwitchingDiode | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |  |   | |
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE GP 100V 250MA SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
High-SpeedSwitchingDIODE Features ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | | | |
High-SpeedSwitchingDIODE Features ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | | | |
HIGH-SPEEDSWITCHINGDIODE ●FEATURES 1)Wedeclarethatthematerialofproductcompliantwith RoHSrequirementsandHalogenFree. 2)S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable. | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 |  | | |
High?뭆peedSwitchingDiode 文件：353.13 Kbytes Page：3 Pages | FS First Silicon Co., Ltd |  | |
MMBD914LT1H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBD914LT1H
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 制造商
ON Semiconductor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT23-5 |
60524 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
4350 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON |
2016+ |
SOT23-3 |
36000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
MOTOROLA |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
SOT23 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
5628 |
原厂原装 |
|||
ON/安森美 |
1948+ |
SOT-23 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ON |
24+ |
SOT23 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
ON |
00+ |
SOT23 |
2200 |
全新原装进口自己库存优势 |
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MMBD914LT1H规格书下载地址
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2022-7-4MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000CJ/长电SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）- 漏源电压（Vdss）- 栅源极阈值电压- 漏源导通电阻- 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）225mW
2020-11-12MMBFJ112 MOS场效应管 晶体管 十年IC，只做原装
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2019-2-25
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