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位置：首页 > IC中文资料第853页 > MMBD914LT1

MMBD914LT1价格

参考价格：￥0.1224

型号：MMBD914LT1 品牌：Infineon 备注：这里有MMBD914LT1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBD914LT1批发/采购报价，MMBD914LT1行情走势销售排行榜，MMBD914LT1报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBD914LT1

High-Speed Switching Diode

High-Speed Switching Diode

Motorola

摩托罗拉

MMBD914LT1

High-Speed Switching Diode

High-Speed Switching Diode

LRC

乐山无线电

MMBD914LT1

High?뭆peed Switching Diode

High−Speed Switching Diode Features • Pb−Free Package is Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1

Plastic-Encapsulated Diodes

SOT-23 Plastic-Encapsulated Diodes FEATURES Power dissipation PD: 225 mW (Tamb=25℃) Forward Current IF: 200 mA Reverse Voltage VR: 75 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

MMBD914LT1

High?뭆peed Switching Diode

Features ● RoHS product for packing code suffix G ● Halogen free product for packing code suffix H ● Moisture Sensitivity Level 1

WILLAS

威伦电子

MMBD914LT1

High-Speed Switching Diode

ETC

知名厂家

MMBD914LT1

High-Speed Switching Diode

LRC

乐山无线电

MMBD914LT1

Small Signal (SWD)

PIC

MMBD914LT1G

Switching Diode, High Speed, 100 V

Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1G

High?뭆peed Switching Diode

High−Speed Switching Diode Features • Pb−Free Package is Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1G

High-Speed Switching Diode

Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1G

Gigabit Ethernet Switch Evaluation Board

文件：2.68409 Mbytes Page：36 Pages

Microchip

微芯科技

MMBD914LT1G

High-Speed Switching Diode

文件：90.11 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1G

High-Speed Switching Diode

文件：123.7 Kbytes Page：3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1G_09

High-Speed Switching Diode

文件：123.7 Kbytes Page：3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1G_16

High-Speed Switching Diode

文件：90.11 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD914LT1HTSA1

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE GP 100V 250MA SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Infineon

英飞凌

LMBD914LT1

High-Speed Switching DIODE

Features ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish

LRC

乐山无线电

LMBD914LT1G

High-Speed Switching DIODE

Features ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish

LRC

乐山无线电

LMBD914LT1G

HIGH-SPEED SWITCHING DIODE

● FEATURES 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q 101 Qualified and PPAP Capable.

LEIDITECH

雷卯电子

FDS914LT1G

High?뭆peed Switching Diode

文件：353.13 Kbytes Page：3 Pages

FS

MMBD914LT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBD914LT1

  • 功能描述

    二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 产品

    Switching Diodes

  • 峰值反向电压

    600 V

  • 正向连续电流

    200 A

  • 最大浪涌电流

    800 A

  • 恢复时间

    2000 ns

  • 正向电压下降

    1.25 V

  • 最大反向漏泄电流

    300 uA

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    ISOTOP

  • 封装

    Tube

MMBD914LT1供应商更多...

更新时间：2025-11-21 10:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宇集芯电子有限公司
MMBD914LT1
ON
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