位置：首页 > IC中文资料 > MMBD770DWT1G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Dual Schottky Barrier Diodes Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and into smaller packages. The new SOT−363 package is a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete devices in one small six−leaded package. The SOT−3 | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
Dual SCHOTTKY Barrier Diodes Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and into smaller packages. The new SOT–363 package is a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete devices in one small six–leaded package. The SOT–3 | LRC 乐山无线电 | | ||
Dual SCHOTTKY Barrier Diodes 文件：414.6 Kbytes Page：4 Pages | ETL 亚历电子 | | ||
Dual SCHOTTKY Barrier Diodes 文件：546.71 Kbytes Page：5 Pages | ETL 亚历电子 | | ||
Dual Schottky Barrier Diodes 文件：64.3 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
15000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
SC88 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
ON/安森美 |
2023+ |
SC88-6SOT363 |
2308 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
|||
ON |
25+ |
SC88/SC706/S |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
ON-SEMI |
25+ |
39000 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
ON/安森美 |
25+ |
SC88-6SOT363 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON |
24+ |
3000 |
|||||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON |
1651+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
MMBD770DWT1G规格书下载地址
MMBD770DWT1G参数引脚图相关
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- nand闪存
- n74
- n100
- mxt
- murata
- mt7201
- mt6795
- msm8625q
- msm7227a
- MP4
- MP3
- mos晶体管
- mos管
- MOSFET
- molex连接器
- MMBT593
- MMBT591
- MMBT589
- MMBT56
- MMBT493
- MMBT491
- MMBT42
- MMBT28S
- MMBT200
- MMBT100
- MMBR951
- MMBR941
- MMBR931
- MMBR930
- MMBR920
- MMBR911
- MMBR571
- MMBF170
- MMBF102
- MMBD914/5D
- MMBD914,BZX85C3V6,KRA112S
- MMBD914(5DZ)
- MMBD914(5D)
- MMBD914(1P-49)
- MMBD914
- MMBD9014LY1TEL:88834448
- MMBD9014LY1
- MMBD855OLT1G
- MMBD8050
- MMBD772
- MMBD770WS
- MMBD770W_09
- MMBD770W
- MMBD770TI
- MMBD770T1GTEL:88834448
- MMBD770T1GIC
- MMBD770T1G
- MMBD770T1
- MMBD770LT1G
- MMBD770DW
- MMBD770
- MMBD7260LT1G
- MMBD717W-T1
- MMBD717WS-T1
- MMBD717WS-R1-00001
- MMBD717WS_R1_0001
- MMBD717WS_09
- MMBD717WS
- MMBD717W_09
- MMBD717W
- MMBD717-T1
- MMBD717SW-T1
- MMBD717SW
- MMBD717S-T1
- MMBD717S-R1-00001
- MMBD717S
- MMBD717-R1-00001
- MMBD717LT1G
- MMBD717LT1D
- MMBD717
- MMBD701
- MMBD452
- MMBD355
- MMBD354
- MMBD353
- MMBD352
- MMBD330
- MMBD318
- MMBD301
- MMBD248
- MMBD193
- MMBD101
- MMBA_15
- MMB8G
- MMB6G
- MMB4G
- MMB358W
- MMB358
MMBD770DWT1G数据表相关新闻
MMB02070C1960FB700
进口代理
2024-9-24MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12MMBFJ112 MOS场效应管 晶体管 十年IC，只做原装
MMBFJ112 十年IC，只做原装
2020-10-20MMBF5484RF放大器SOT-23全新原装现货直拍丝印6B
MMBF5484 RF 放大器 SOT-23 全新原装现货 直拍 丝印6B
2019-2-25
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
