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MJW21193价格

参考价格：￥13.5343

型号：MJW21193G 品牌：ONSemi 备注：这里有MJW21193多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJW21193批发/采购报价，MJW21193行情走势销售排行榜，MJW21193报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJW21193

SiliconPowerTransistors

16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W MJW21193(PNP) MJW21194(NPN) TheMJW21193andMJW21194utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. •TotalHarmonicDistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193

SiliconPowerTransistors

TheMJW21193andMJW21194utilizePerforatedEmitter technologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput, diskheadpositionersandlinearapplications. Features TotalHarmonicDistortionCharacterized HighDCCurrentGain ExcellentGainLinearity HighSOA These

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193

SiliconPowerTransistors

文件：124.88 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193

SiliconPNPtransistorinaTO-3PPlasticPackage.

文件：958.04 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
MJW21193

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：279.26 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJW21193

SiliconPowerTransistors

文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193

16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W

文件：74.05 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193

封装/外壳：TO-247-3 包装：散装 描述：TRANS PNP 250V 16A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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安森美半导体安森美半导体公司

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MJW21193_V01

SiliconPowerTransistors

TheMJW21193andMJW21194utilizePerforatedEmitter technologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput, diskheadpositionersandlinearapplications. Features TotalHarmonicDistortionCharacterized HighDCCurrentGain ExcellentGainLinearity HighSOA These

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MJW21193G

SiliconPowerTransistors

TheMJW21193andMJW21194utilizePerforatedEmitter technologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput, diskheadpositionersandlinearapplications. Features TotalHarmonicDistortionCharacterized HighDCCurrentGain ExcellentGainLinearity HighSOA These

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193_05

16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W

文件：74.05 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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MJW21193_10

SiliconPowerTransistors

文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages

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MJW21193_13

SiliconPowerTransistors

文件：124.88 Kbytes Page：7 Pages

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MJW21193G

SiliconPowerTransistors

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MJW21193G

SiliconPowerTransistors

文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages

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MJW21193G

16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W

文件：74.05 Kbytes Page：8 Pages

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安森美半导体安森美半导体公司

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MJW21193G

封装/外壳：TO-247-3 包装：散装 描述：TRANS PNP 250V 16A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ21193

16amperecomplementarysiliconpowertransistors250volts250watts

SiliconPowerTransistors TheMJ21193andMJ21194utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain–hFE=25Min@IC=8Adc •Excel

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJ21193

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

SiliconPowerTransistors TheMJ21193(PNP)andMJ21194(NPN)utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. Features •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain−hFE=25Mi

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MJ21193

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •ComplementtotypeMJ21194 •Excellentgainlinearity APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
21193

SiliconPowerTransistors

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MJ21193

SiliconPowerTransistors

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ONSEMI

MJW21193产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJW21193

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJW21193供应商更多...

更新时间：2025-5-30 16:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳宇航军工半导体有限公司
MJW21193
NA
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