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MJW21193G价格

参考价格：￥13.5343

型号：MJW21193G 品牌：ONSemi 备注：这里有MJW21193G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJW21193G批发/采购报价，MJW21193G行情走势销售排行榜，MJW21193G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJW21193G

SiliconPowerTransistors

TheMJW21193andMJW21194utilizePerforatedEmitter technologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput, diskheadpositionersandlinearapplications. Features TotalHarmonicDistortionCharacterized HighDCCurrentGain ExcellentGainLinearity HighSOA These

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193G

SiliconPowerTransistors

文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages

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SiliconPowerTransistors

文件：124.88 Kbytes Page：7 Pages

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MJW21193G

16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W

文件：74.05 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21193G

封装/外壳：TO-247-3 包装：散装 描述：TRANS PNP 250V 16A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ21193

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •ComplementtotypeMJ21194 •Excellentgainlinearity APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
MJ21193

16amperecomplementarysiliconpowertransistors250volts250watts

SiliconPowerTransistors TheMJ21193andMJ21194utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain–hFE=25Min@IC=8Adc •Excel

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJ21193

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

SiliconPowerTransistors TheMJ21193(PNP)andMJ21194(NPN)utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. Features •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain−hFE=25Mi

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
21193

SiliconPowerTransistors

文件：122.36 Kbytes Page：6 Pages

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MJ21193

SiliconPowerTransistors

文件：73.54 Kbytes Page：6 Pages

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MJW21193G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJW21193G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJW21193G供应商更多...

更新时间：2025-8-1 11:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MJW21193G
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