型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJW21192G

8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W

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ONSEMI

安森美半导体

MJW21192G

封装/外壳:TO-247-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 150V 8A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS

Specifically designed for power audio output, or high power drivers in audio amplifiers. • DC Current Gain Specified up to 8.0 Amperes at Temperature • All On Characteristics at Temperature • High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms • TO–247AE Package

Motorola

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

Specifically designed for power audio output, or high power drivers in audio amplifiers. • DC Current Gain Specified up to 8.0 A at Temperature • All On Characteristics at Temperature • High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms • TO−247AE Package • Pb−Free Packages are Available*

ONSEMI

安森美半导体

8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W

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ONSEMI

安森美半导体

isc Silicon NPN Power Transistor

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ISC

无锡固电

IEC SYSTEM FOR MUTUAL RECOGNITION OF TEST CERTIFICATES FOR ELECTRICAL EQUIPMENT (IECEE) CB SCHEME

文件:154.56 Kbytes Page:2 Pages

SLPOWER

MJW21192G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJW21192G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-21 10:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
25+
TO-3P
76000
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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24+
TO-247
5000
只做原装公司现货
ON/安森美
24+
TO-247-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
ON
22+
TO-3P
3000
原装正品,支持实单
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2016+
TO-247
3900
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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ON/安森美
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