型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJW21192G

8.0APOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON150V,125W

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21192G

封装/外壳:TO-247-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 150V 8A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

8.0AMPERESPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON150VOLTS100WATTS

Specificallydesignedforpoweraudiooutput,orhighpowerdriversinaudioamplifiers. •DCCurrentGainSpecifiedupto8.0AmperesatTemperature •AllOnCharacteristicsatTemperature •HighSOA:20A,18V,100ms •TO–247AEPackage

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

Specificallydesignedforpoweraudiooutput,orhighpowerdriversinaudioamplifiers. •DCCurrentGainSpecifiedupto8.0AatTemperature •AllOnCharacteristicsatTemperature •HighSOA:20A,18V,100ms •TO−247AEPackage •Pb−FreePackagesareAvailable*

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安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

8.0APOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON150V,125W

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

iscSiliconNPNPowerTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IECSYSTEMFORMUTUALRECOGNITIONOFTESTCERTIFICATESFORELECTRICALEQUIPMENT(IECEE)CBSCHEME

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SLPOWER

SLPower

SLPOWER

MJW21192G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJW21192G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-21 8:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
TO-247
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
ON(安森美)
22+
NA
8000
原厂原装现货
ON
22+
TO-3P
3000
原装正品,支持实单
isc
2024
TO-247
150
国产品牌isc,可替代原装
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON/安森美
22+
TO-3P
97328
ON/安森美
22+
TO-3P
97328
终端免费提供样品 可开83%增值税发票
ON
2020+
TO-3P
350000
100%进口原装正品公司现货库存
ON(安森美)
23+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON(安森美)
标准封装
8000
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规

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