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位置：首页 > IC中文资料第1126页 > MJW21192

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJW21192

8.0AMPERESPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON150VOLTS100WATTS

Specificallydesignedforpoweraudiooutput,orhighpowerdriversinaudioamplifiers. •DCCurrentGainSpecifiedupto8.0AmperesatTemperature •AllOnCharacteristicsatTemperature •HighSOA:20A,18V,100ms •TO–247AEPackage

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MJW21192

POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

Specificallydesignedforpoweraudiooutput,orhighpowerdriversinaudioamplifiers. •DCCurrentGainSpecifiedupto8.0AatTemperature •AllOnCharacteristicsatTemperature •HighSOA:20A,18V,100ms •TO−247AEPackage •Pb−FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21192

8.0APOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON150V,125W

文件：73.63 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21192

SiliconNPNPowerTransistors

文件：117.91 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
MJW21192

iscSiliconNPNPowerTransistor

文件：242.07 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJW21192

SiliconNPNPowerTransistors

文件：119.49 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
MJW21192

封装/外壳：TO-247-3 包装：托盘 描述：TRANS NPN 150V 8A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21192_05

8.0APOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON150V,125W

文件：73.63 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21192G

8.0APOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON150V,125W

文件：73.63 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJW21192G

封装/外壳：TO-247-3 包装：托盘 描述：TRANS NPN 150V 8A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
DK-21192

IECSYSTEMFORMUTUALRECOGNITIONOFTESTCERTIFICATESFORELECTRICALEQUIPMENT(IECEE)CBSCHEME

文件：154.56 Kbytes Page：2 Pages

SLPOWER

SLPower

SLPOWER

MJW21192产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJW21192

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJW21192供应商更多...

更新时间：2024-5-21 9:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市正纳电子有限公司
MJW21192
ON(安森美)
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NA
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MJW21193
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350000
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