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位置：首页 > IC中文资料第2212页 > MJL21195

MJL21195价格

参考价格：￥14.8441

型号：MJL21195G 品牌：ONSemi 备注：这里有MJL21195多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJL21195批发/采购报价，MJL21195行情走势销售排行榜，MJL21195报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJL21195

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W The MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. •Total Harmonic Distortion Characterized •High DC Cur

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195

Silicon Power Transistors

文件：132.52 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

文件：164.08 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195

Silicon Power Transistors

文件：135.58 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195

Silicon PNP Power Transistor

文件：291.93 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

MJL21195

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA 包装：散装 描述：TRANS PNP 250V 16A TO264 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195

SILICON POWER TRANSISTOR

ETC

知名厂家

MJL21195

音频功放晶体管

thundersoft

中科创达

MJL21195

音频功放晶体管

ETC

知名厂家

MJL21195A

200 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Type Power Transistor

DESCRIPTION ·With TO-3PL-SQ(TO-3PBL/TO-3BPL) pkg ·Complement to type MJL21196A APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

THINKISEMI

思祁半导体

MJL21195G

200 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Type Power Transistor

DESCRIPTION ·With TO-3PL-SQ(TO-3PBL/TO-3BPL) pkg ·Complement to type MJL21196G APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

THINKISEMI

思祁半导体

MJL21195_05

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

文件：164.08 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195_10

Silicon Power Transistors

文件：132.52 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195_13

Silicon Power Transistors

文件：135.58 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195G

Silicon Power Transistors

文件：135.58 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195G

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA 包装：散装 描述：TRANS PNP 250V 16A TO264 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195G

Silicon Power Transistors

文件：132.52 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195G

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

文件：164.08 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ21195

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Silicon Power Transistors The MJ21195 and MJ21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. Features • Total Harmonic Distortion Characterized • High DC Current Gain − hFE = 25 Min @ IC = 8 Ad

ONSEMI

安森美半导体

MJ21195

Silicon Power Transistors

文件：83.23 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ21195

Silicon PNP Power Transistor

文件：131.02 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

MJ21195

Silicon Power Transistors

文件：159.5 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MJ21195G

Silicon Power Transistors

文件：83.23 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21195产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJL21195

  • 功能描述

    TRANS PWR COMP 16A 250V TO264

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

MJL21195供应商更多...

更新时间：2025-11-20 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华斯顿科技有限公司
MJL21195
MOT
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MJL21195
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