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位置：首页 > IC中文资料第130页 > MJE13007G

MJE13007G价格

参考价格：￥2.1537

型号：MJE13007G 品牌：ONSemi 备注：这里有MJE13007G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJE13007G批发/采购报价，MJE13007G行情走势销售排行榜，MJE13007G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJE13007G

NPNBipolarPowerTransistorForSwitchingPowerSupplyApplications

SWITCHMODE NPNBipolarPowerTransistorForSwitchingPowerSupplyApplications TheMJE13007Gisdesignedforhigh−voltage,high−speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedfor115and220VSWITCHMODEapplicationssuchasSwitchingRe

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJE13007G

Switch-modeNPNBipolarPowerTransistor

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJE13007G

封装/外壳：TO-220-3 包装：散装 描述：TRANS NPN 400V 8A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJE13007G-M-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS DESCRIPTION TheUTCMJE13007-Misdesignedforhigh-voltageandhigh-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedfor115and220Vswitchmodeapplications. FEATURES *VCEO(

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MJE13007G-P-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS DESCRIPTION TheUTCMJE13007-Pisdesignedforhigh-voltage,high-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedfor115and220Vswitchmodeapplications. FEATURES

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友顺友顺科技股份有限公司

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MJE13007G-Q-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS DESCRIPTION TheUTCMJE13007-Qisdesignedforhigh-voltage,high-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedfor115and220Vswitchmodeapplications. FEATURES

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MJE13007G-M-TA3-T

TRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

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MJE13007G-P-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONS

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MJE13007G-Q-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONS

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MJE13007G-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

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UTC
MJE13007G-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHING

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MJE13007G-TA3-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

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MJE13007G-TF1-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

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MJE13007G-TF1-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHING

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MJE13007G-TF2-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

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MJE13007G-TF2-T

NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHING

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NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

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NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHING

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NPNBIPOLARPOWERTRANSISTORFORSWITCHINGPOWERSUPPLYAPPLICATIONS

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13007

NPNSiliconTransistor

NPNSiliconTransistor forhighvoltage,high-speedpowerswitchingapplication

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

SEMTECH_ELEC
13007

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:700V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
13007

Series8ElevatorSocketw/ColletContacts&SolderPinTails

Series8ElevatorSocketw/ColletContacts&SolderPinTails FEATURES •IdealforElevatingDevices(Displays,Switches,etc.)toDesiredLevelwith 0.260to1.250[6.60to31.75]HeightExtension

ARIES

Aries Electronics,inc

ARIES
13007

BipolarJunctionTransistor

FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ComputerSwitchPowerSupply

JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd

晶导深圳市晶导电子有限公司

JINGDAO
13007A

POWERTRANSISTORS(8A,400V,80W)

SWIRCHMODESERIESNPNPOWERTRNASISTOR ...designedforuseinhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuit,theyareparticularlysuitedfor115and220Vswitchmodeapplicationssuchasswitchingrequlators,inverters,DC-DCconverter,MotorControls,SolenoiddriveandDeflec

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC

MJE13007G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJE13007G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 8A 400V 80W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJE13007G供应商更多...

更新时间：2025-7-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJE13007G
onsemi(安森美)
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MJE13007G
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