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MJD44H11-252

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A ·Fast Switching Speeds ·Complement to Type MJD45H11 ·DPAK for Surface Mount Applications APPLICATIONS ·Designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in appl

ISC

无锡固电

更新时间:2026-3-3 11:20:00
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