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MJD44H11-252

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A ·FastSwitchingSpeeds ·ComplementtoTypeMJD45H11 ·DPAKforSurfaceMountApplications APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplificationand switchingsuchasoutputordriverstagesinappl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-5-10 8:38:00
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