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MJD44H11-252中文资料

厂家型号

MJD44H11-252

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342.76Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

数据手册

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生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

MJD44H11-252数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage

: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A

·Fast Switching Speeds

·Complement to Type MJD45H11

·DPAK for Surface Mount Applications

APPLICATIONS

·Designed for general purpose power amplification and

switching such as output or driver stages in applications

such as switching regulators,converters and power amplifier.

更新时间:2025-5-11 22:58:00
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 26304条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售