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MJD41C-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A ·Complement to Type MJD42C APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications

ISC

无锡固电

更新时间:2026-1-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
10139
原装现货,当天可交货,原型号开票
24+
5000
公司存货
ON/安森美
23+
SOT252
8000
只做原装现货
ON/安森美
2447
TO-251
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ON/安森美
22+
TO-251
20000
只做原装
ON
24+
DPAK
6000
进口原装正品假一赔十,货期7-10天
ON
20+
TO-252
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
CJ/长电
24+
TO-251
50000
只做原装,欢迎询价,量大价优
ON/安森美
TO-252
22+
6000
十年配单,只做原装

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