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MJD41C-252中文资料

厂家型号

MJD41C-252

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2

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MJD41C-252数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A

·Complement to Type MJD42C

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

更新时间:2025-11-26 8:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
25+
TO-251
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