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MGFK35V2732

12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET?

DESCRIPTION The MGFK35V2732 is an internally impedance matched GaAs power FET especially designed for use in 12.7 ~ 13.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability. FEATURES ● Internally impedance matched ● High output power P1dB = 3.5 W

Mitsubishi

三菱电机

MGFK35V2732产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGFK35V2732

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

更新时间:2025-8-9 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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