| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGF65A4L | Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件:796.41 Kbytes Page:15 Pages | Sanken 三垦 | ||
MGF65A4L | IGBT(FRD内置) | Sanken 三垦 | ||
VCE = 650 V, IC = 40 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode Description The KGF65A4H, MGF65A4H, and FGF65A4H are 650 V Field Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the efficiency of your circuit. Features ● Lo | Sanken 三垦 | |||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
24+ |
NA/ |
232 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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MIT |
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SOP-12 |
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MIT |
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MIT |
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mit |
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