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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGF0905 | L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm •Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm •Highpoweraddedefficiency P.A.E=40(TYP.) | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 |  |   |
L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm •Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm •Highpoweraddedefficiency P.A.E=40(TYP.) | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | | | |
L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpoweraddedefficiency P.A.E=4 | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | | | |
L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpoweraddedefficiency P.A.E=4 | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | | | |
High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage) 文件：157.19 Kbytes Page：4 Pages | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | | | |
High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage) 文件：157.19 Kbytes Page：4 Pages | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | | | |
SPRING-LOADEDCONNECTORSDiscreteSpring-LoadedContacts 文件：145.27 Kbytes Page：1 Pages | MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp. |  | | |
METALBrush 文件：512.86 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN ASSUN MOTOR Pte Ltd. |  | | |
METALBrush 文件：291.74 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN ASSUN MOTOR Pte Ltd. | | | |
METALBrush 文件：328.31 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN ASSUN MOTOR Pte Ltd. | | | |
InternallyMatchedLNAModule 文件：458.77 Kbytes Page：3 Pages | ASB Advanced Semiconductor Business Inc. |  | |
MGF0905产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGF0905
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
L,S BAND POWER GaAs FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
35 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TI |
23+ |
NA |
12000 |
全新原装假一赔十 |
|||
MITSUBISH |
20+ |
GF-21 |
29516 |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
|||
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
||||
MITSUBISH |
24+ |
SMD |
5000 |
MITSUBISH专营品牌原装正品假一罚十 |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
Mitsubish |
23+ |
NA |
1431 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MITSUBISHI |
23+ |
高频管 |
750 |
专营高频管模块,全新原装! |
|||
三菱 |
24+ |
原装 |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
|||
MITSUBIS |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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