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MGF0905A中文资料

厂家型号

MGF0905A

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4

功能描述

L,S BAND POWER GaAs FET?

L,S BAND POWER GaAs FET

数据手册

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生产厂商

MITSUBISHI

MGF0905A数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MGF0905A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers.

FEATURES

High output power

Po=34.0dBm(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBm

High power gain

Gp=8.0dB(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBm

High power added efficiency

P.A.E =40(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBm

APPLICATION

For UHF Band power amplifiers

QUALITY

GG

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

Vds=8V

Ids=800mA

Rg=100Ω

Refer to Bias Procedure

MGF0905A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGF0905A

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    L,S BAND POWER GaAs FET

更新时间:2025-10-5 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
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MITSUBISHI/三菱
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MITSUBISHI/三菱
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