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1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode

Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr

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更新时间:2024-6-3 19:03:01
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