位置:首页 > IC中文资料第2752页 > MGB15N35CLT4
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGB15N35CLT4 | Internally Clamped N-Channel IGBT Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt | ONSEMI 安森美半导体 | ||
MGB15N35CLT4 | Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK 文件:250.45 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
MGB15N35CLT4 | Internally Clamped N-Channel IGBT | ONSEMI 安森美半导体 |
MGB15N35CLT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGB15N35CLT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 15A 350V Ignition
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO263 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON |
TO263 |
15766 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
ON |
25+ |
SOT-263 |
32500 |
普通 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ON |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-323 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
ON |
23+ |
TO263 |
7000 |
||||
ON |
25+ |
TO263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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