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MGB15N35CLT4

Internally Clamped N-Channel IGBT

Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt

ONSEMI

安森美半导体

MGB15N35CLT4

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

文件:250.45 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MGB15N35CLT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGB15N35CLT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 15A 350V Ignition

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-6 21:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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