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MGB15N35CLT4

Internally Clamped N-Channel IGBT

Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt

ONSEMI

安森美半导体

MGB15N35CLT4

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

MGB15N35CLT4

Internally Clamped N-Channel IGBT

ONSEMI

安森美半导体

MGB15N35CLT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGB15N35CLT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 15A 350V Ignition

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-10 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
TO263
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ON
TO263
15766
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ON/安森美
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
ON
25+
SOT-263
32500
普通
ON/安森美
23+
SOT-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
ON
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
NEXPERIA/安世
23+
SOT-323
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ON/安森美
21+
SOT-263
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
ON
23+
TO263
7000
ON
25+
TO263
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理

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