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MGB15N35CLT4中文资料

MGB15N35CLT4
厂家型号

MGB15N35CLT4
文件大小

250.45Kbytes
页面数量

10页
功能描述

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

IGBT 晶体管 15A 350V Ignition
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商

ONSEMI

相近规格书

MGB15N35CLT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGB15N35CLT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 15A 350V Ignition

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

MGB15N35CLT4供应商...

更新时间：2025-10-29 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司
MGB15N35CLT4
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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